Potere ottico:82000-96000mW
Substrato:Rame di ALN
SE:8400mA (Max=12A)
Potere:200W
Substrato:Rame di ALN
SE:8400mA (Max=12A)
Potere:126W
SUBSTRATO:Rame di ALN
SE:8400mA (Max=12A)
Lunghezza d'onda:365m 385nm 395nm
Potere:126W
Substrato:Rame di ALN
Lunghezza d'onda:365m 385nm 395nm
Potere:125W
Substrato:Alluminio eccellente
Lunghezza d'onda:385nm
VF:34-38V
SE:3500mA (Max=5A)
Lunghezza d'onda:365nm
VF:34-38V
SE:3500mA (Max=5A)
Dimensione:35*35MM
VF:51-56V
SE:2100mA (Max=3A)
Colore:Ultravioletto
Lunghezza d'onda:395/405nm
Potere ottico:1050-1500mW
Potere ottico:95000-110000 mW
SE:8400mA (Max=12A)
VF:34-38 V
Colore:Ultravioletto
Lunghezza d'onda di picco:365nm/385nm/395nm
Corrente di ingresso:1400mA (Max=2A)
Nome di prodotto:CHIP LED UV
potere:3W
SE:700-1400 mA